氮化鋁(AlN)陶瓷具有良好的熱性能、電性能、機械性能和化學穩(wěn)定性，是現今較為理想的基板材料和電子封裝材料。AlN陶瓷的優(yōu)良性能與原材料粉體的性能有著直接的關系，高性能AlN粉體是制備高熱導率AlN陶瓷的關鍵。

　　在國外，AlN粉的制造工藝已經相當成熟，商品化程度也很高。此前，據中國電科43所的研究數據，2015年全世界AlN粉的產量達3000噸/年。而掌握高性能AlN粉生產技術的廠家并不多，主要分布在日本、德國和美國。那么，氮化鋁粉體制備方法有哪些?具體的技術難點又在哪里呢?

　　氮化鋁粉體制備方法及其難點

　　Al2O3粉碳熱還原法

　　Al2O3粉碳熱還原法就是將超細Al2O3粉和高純度碳粉球磨混合，在氮氣氛圍中，一定的溫度(1400～1800℃)下，利用碳還原氧化鋁，與氮氣生成AlN粉末，其反應式為：Al2O3+3C+N2→2AlN+3CO。

　　該方法的主要難點在于，對氧化鋁和碳的原料要求比較高，原料難以混合均勻，氮化溫度較高，合成時間較長，而且還需對過量的碳進行除碳處理，工藝復雜，制備成本較高。

　　Al粉直接氮化法

　　Al粉直接氮化法是最早制備AlN粉體的方法，該法是將鋁粉在氮氣中加熱，在高溫(800～1200℃)下，鋁粉與氮氣直接發(fā)生化學反應生產氮化鋁粉末，反應式為：2Al+N2→2AlN。

　　該方法的缺點很明顯，在反應初期，鋁粉顆粒表面會逐漸生成氮化物膜，使氮氣難以進一步滲透，阻礙氮氣反應，致使產率較低;又由于鋁和氮氣之間的反應是強放熱反應，速度很快，造成AlN粉體自燒結，形成團聚，使得粉體顆粒粗化。

　　自蔓延高溫合成法

　　自蔓延高溫合成法又稱燃燒合成法，是將鋁粉在高壓氮氣中通過相關手段引燃后，利用鋁粉和氮氣反應產生的熱量維持反應自發(fā)進行，直到反應結束。其反應式與Al粉直接氮化法相同，即為2Al+N2→2AlN。

　　該方法的缺陷在于，一方面由于反應迅速，故反應過程不易控制;另一方面該法制備的AlN粉體粒徑大，純度低，制作的AlN陶瓷熱導率偏低，常作為鋼鐵、橡膠和塑料等行業(yè)的添加劑。

　　化學氣相沉積法

　　化學氣相沉積(CVD)法是一種制備超細、高純、高比表面積、粒度分布均勻氮化物粉體的有效方法。采用該方法制備AlN粉體的核心原理是將鋁的揮發(fā)性化合物(鹵化鋁或烷基鋁)由N2帶入反應室與NH3反應，從氣相中沉積得到AlN晶粒。

　　該工藝存在對設備要求較高，生產效率低，采用烷基鋁為原料會導致成本較高，而采用無機鋁為原料則會生成腐蝕性氣體，所以目前還難以進行大規(guī)模工業(yè)化生產。

　　等離子體法

　　等離子體法是合成納米級AlN粉體的先進工藝，其原理是將鋁粉通過氣體送入等離子體反應器中，鋁粉在高溫等離子體環(huán)境下快速升溫、熔融、氣化形成鋁蒸氣，鋁蒸氣再與高能量的氮離子反應生成AlN納米顆粒。

　　該工藝存在設備要求高、產品產量低、單顆粒形貌不規(guī)則、難以得到低氧含量粉體等問題，所以目前該工藝制備AlN粉體還停留在實驗室階段。

　　氮化鋁粉體制備技術發(fā)展趨勢

　　AlN粉體作為一種性能優(yōu)異的粉體原料，國內外研究者通過不斷的科技創(chuàng)新來解決現有工藝存在的技術問題，同時也在不斷探索新的、更高效的制備技術。在微米級AlN粉體合成方面，目前最主要的工藝仍是碳熱還原法和直接氮化法，這兩種工藝具有技術成熟、設備簡單、得到產品質量好等特點，已在工業(yè)中得到大規(guī)模應用。

　　獲得更高純度、粒度可控、形貌均勻分散的高性能粉體是AlN制備技術的發(fā)展方向，針對不同應用領域應開發(fā)多種規(guī)格的粉體，以滿足導熱陶瓷基板、AlN單晶半導體、高純靶材、導熱填料等領域對AlN粉體原料的要求。同時，在生產中也需要對現有技術及裝備進行不斷優(yōu)化，進一步提高產品的批次穩(wěn)定性，增加產出效率，降低生產成本。

　　國外氮化鋁粉體行業(yè)現狀

　　日本德山曹達公司采用Al2O3粉碳熱還原法生產的AlN粉被全球公認為質量好、性能穩(wěn)定，全世界的高端AlN粉市場基本被其產品占據。日本東芝、京瓷、Maruwa、住友電子，德國CeramTec、ANCe-ram，美國Natel、CMC等公司的大部分基板和封裝生產廠家都在使用其氮化鋁粉體產品。

　　日本東洋鋁公司采用Al粉直接氮化法生產的AlN粉，性能較好，制作出的基板熱導率也能穩(wěn)定在170W/m·K以上，且價格較低，在日本和中國受到不少客戶的青睞。

　　德國的Starck公司市場主推的GRADEC級AlN粉，采用Al粉直接氮化法制作。美國DOW化學公司也掌握了Al2O3粉碳熱還原法生產AlN粉技術。

　　國內氮化鋁粉體行業(yè)發(fā)展

　　在國內，開展AlN粉研究、生產的廠家也有很多，主要有以下部分企業(yè)：

　　中國電子科技集團公司第43研究所：國內LTCC/氮化鋁基板、功率驅動電路、信號電路、電子窯爐等產品的知名供應商，在混合集成電路及微組裝技術領域具有明顯的綜合優(yōu)勢并引領行業(yè)發(fā)展。該所早在“七五”期間就采用Al2O3粉碳熱還原法制備出了高純超細AlN粉，掌握了AlN粉的基本制作方法，性能在國內處于領先水平，但目前是否已實現批量化生產尚未見于報道。

　　國瓷材料：高端高純超細氮化鋁粉體材料通過量產，已獲得國內客戶的一致認可。

　　廈門鉅瓷科技有限公司：于2016年12月27日成立于廈門市翔安區(qū)，是一家致力于高品級氮化鋁粉體及陶瓷制品研發(fā)、生產和銷售的創(chuàng)新型高科技企業(yè)。公司依托北京科技大學在氮化鋁領域的研究成果，曾獲“中國有色金屬工業(yè)科學技術一等獎(發(fā)明)”、“中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽新材料行業(yè)一等獎(全國第一名)”等諸多榮譽。公司主要產品有高純微細氮化鋁粉體、球形氮化鋁顆粒以及注射成形復雜精密氮化鋁陶瓷制品三大系列，已經得到國內外客戶的認可與好評。

　　寧夏艾森達新材料科技有限公司：有媒體報道其為“國內唯一同時具備氮化鋁粉體、氮化鋁多層線路板、氮化鋁結構件量產生產線的企業(yè)”，成立于2013年，是一家具有活力的初創(chuàng)型企業(yè)，運用自主研發(fā)的高水平電子級氮化鋁粉體，成功打破國外企業(yè)的壟斷。月產量氮化鋁片從3萬達到11萬片，產量名列全世界前茅。

　　寧夏時星科技有限公司：該公司計劃總投資20億元的氮化鋁粉體和高導熱氮化鋁陶瓷基片研發(fā)項目于2020年上半年落戶銀川經濟技術開發(fā)區(qū)。其中一期項目計劃投資2億元，建設1條氮化鋁粉生產線。項目達產后可年產600噸氮化鋁粉，實現年產值2.5億元以上。二期項目計劃投資18億元，建設年產3000噸氮化鋁粉、1200萬片高導熱氮化鋁陶瓷基片生產線，項目全部達產后可實現年產值38億元。最終實現年產3600噸氮化鋁粉、1200萬片氮化鋁陶瓷基片。產品主要應用于高鐵、新能源汽車、飛機、航空、航天及雷達、5G等領域。

　　其它知名企業(yè)有：煙臺同立高科新材料股份有限公司、遼寧德盛特種陶瓷制造有限公司、山東鵬程陶瓷新材料科技有限公司、三河燕郊新宇高新技術陶瓷材料有限公司、福建施諾瑞新材料有限公司、晉江華清新材料科技有限公司，等。

　　小結

　　我國目前的高性能AlN粉基本依賴進口，不僅價格高昂，而且隨時存在原材料斷供的風險。因此，實現高性能AlN粉制造技術的國產化，已成為當務之急。

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